低 RDS(on)，7 Ω（典型值）
雪崩能量，30 mJ
八个100 mA连续电流的功率DMOS晶体管输出
250 mA电流限制能力
ESD保护，2500 V
输出箝位电压，33 V
增强级联用于多级应用
单个输入清除所有寄存器
低功耗

TPIC6C596器件是一种单片、中压、低电流、8位移位寄存器，设计用于需要相对适中负载功率的系统，如LED。该器件在输出端内置了电压箝位，用于电感瞬态保护。功率驱动应用包括继电器、电磁阀和其他低电流或中压负载。

该器件包含一个8位串行输入并行输出移位寄存器，它为一个8位D型存储寄存器提供数据。数据分别在移位寄存器时钟(SRCK)和寄存器时钟(RCK)的上升沿通过移位寄存器和存储寄存器传输。当移位寄存器清除(CLR)为高时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲区。当CLR为低时，设备中的所有寄存器被清除。当输出使能(G bar)保持高电平时，输出缓冲区中的所有数据保持低电平且所有漏极输出关闭。当G bar保持低电平时，来自存储寄存器的数据对输出缓冲区透明。当输出缓冲区中的数据为低电平时，DMOS晶体管输出关闭。当数据为高电平时，DMOS晶体管输出具有吸收电流的能力。

串行输出(SER OUT)在SRCK的下降沿从设备中时钟输出，以提供额外的保持时间用于级联应用。这将提高时钟信号可能偏斜、设备不靠近彼此或系统必须承受电磁干扰的应用的性能。

输出是低压侧开漏DMOS晶体管，输出额定值为33 V和100 mA连续吸收电流能力。每个输出在Tc = 25°C时提供最大250 mA的电流限制。随着结温升高，电流限制降低，以提供额外的设备保护。当使用人体模型和200 V机器模型测试时，该器件还提供了高达2500 V的ESD保护。

TPIC6C596器件的工作环境温度范围为-40°C至125°C。

	属性	参数值
	商品目录	移位寄存器
	功能	串行至串行或并行
	工作电压	4.5V~5.5V
	时钟频率(fc)	10MHz
	元件数	1
	每个元件位数	-

	属性	参数值
	输出类型	开漏
	系列	TPIC
	工作温度	-40℃~+125℃
	传播延迟(tpd)	15ns@5V,30pF
	输出电流	100mA

TPIC6C596DRG4

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