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DMP2240UWQ-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.5A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2240UWQ-7
- 商品编号
- C1323284
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@1.8V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
高单元密度沟槽式双P沟道MOSFET可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。它符合RoHS标准和绿色产品要求。
商品特性
- 在VGS = 10 V时，导通电阻（RDS(on)） = 42 mΩ（典型值）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
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