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HMC349ALP4CETR
高隔离、非反射性GaAs单刀双掷开关，100 MHz至4 GHz
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- 描述
- HMC349ALP4CE是一款砷化镓(GaAs)单刀双掷(SPDT)开关，工作频率范围为100 MHz至4 GHz。它具有高隔离度(62 dB)、低插入损耗(1.0 dB)、高输入线性度等特性。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC349ALP4CETR
- 商品编号
- C128836
- 商品封装
- QFN-16-EP(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 通道数 | 2 | |
| 工作电压 | 3V~5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通时间(ton) | 150ns | |
| 关闭时间(toff) | 150ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 带宽 | 4GHz |
商品概述
HMC349ALP4CE是一款砷化镓（GaAs）单刀双掷（SPDT）开关，工作频率范围为100 MHz至4 GHz。 HMC349ALP4CE具有62 dB的高隔离度、1.0 dB的低插入损耗、53 dBm的高输入三阶交调截点（IP3）和34 dBm的高输入1 dB压缩点（P1dB），非常适合无线基础设施应用。 HMC349ALP4CE采用3 V至5 V的单路正电源供电，并提供CMOS/TTL兼容的控制接口。 HMC349ALP4CE采用16引脚、4 mm×4 mm、符合RoHS标准的引线框架芯片级封装（LFCSP）。
商品特性
- 非反射式50 Ω设计
- 高隔离度：在2 GHz时可达62 dB
- 低插入损耗：在2 GHz时为1.0 dB
- 高输入线性度 1 dB功率压缩点（P1dB）：34 dBm（典型值） 三阶交调截点（IP3）：53 dBm（典型值）
- 高功率处理能力 直通路径33.5 dBm，VDD = 5 V 端接路径26.5 dBm
- 单路正电源：3 V至5 V
- CMOS/TTL兼容控制
- 全关状态控制
- 16引脚、4 mm×4 mm LFCSP封装
- 引脚与HMC8038兼容
应用领域
- 无线基础设施
- 移动无线电
- 测试设备
优惠活动
购买数量
(500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交11单
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