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L8550QLT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

L8550QLT1G

150-300 通用晶体管 PNP 电流:800mA 电压:25V

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描述
特性:产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证,具备PPAP能力
商品型号
L8550QLT1G
商品编号
C127178
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)800mA
集射极击穿电压(Vceo)25V
耗散功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE)100@100mA,1V
属性参数值
特征频率(fT)-
集电极截止电流(Icbo)150nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV@800mA,80mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V

商品特性

  • 产品材料符合RoHS要求
  • S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用
  • AEC - Q101合格且具备PPAP能力

数据手册PDF