SI7288DP-T1-GE3
2个N沟道 耐压:40V 电流:20A
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7288DP-T1-GE3
- 商品编号
- C126988
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.234克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 15.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 565pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 第三代功率 MOSFET
- 脉宽调制(PWM)优化
- 100% 栅极电阻(Rg)测试
- 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 液晶显示器(LCD)背光源逆变器
- 直流-直流(DC/DC)转换器
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