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MB85RC128APNF-G-JNERE1
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- 描述
- 是一种铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，配置为 16,384 字 × 8 位，采用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。与 SRAM 不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少 10¹² 次循环，在次数上明显优于闪存和 E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或 E²PROM 那样的轮询序列。
- 商品型号
- MB85RC128APNF-G-JNERE1
- 商品编号
- C126727
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 128Kbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 250uA | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz | |
| 待机电流 | 5uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |