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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RU1H150R

1个N沟道 耐压:108V 电流:150A

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商品型号
RU1H150R
商品编号
C126334
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
35克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)115V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)288W
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)117nC@10V
输入电容(Ciss)6.9nF
反向传输电容(Crss)47pF
工作温度-
类型-
输出电容(Coss)1.25nF

商品特性

  • 108V/150A
  • 当VGS = 10 V时,RDS(ON) = 3.5 mΩ(典型值)
  • 先进的HEFET技术
  • 超低导通电阻
  • 出色的Qg x RDS(on)乘积
  • 100%雪崩测试
  • 175°C工作温度
  • 提供无铅和环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 电机驱动器
  • 不间断电源
  • DC/DC转换器
  • 通用应用

数据手册PDF