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LMUN5211T1G

内置偏置电阻网络的偏置电阻晶体管

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描述: 该系列数字晶体管用于取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了它们。使用BRT可以降低系统成本和占用的电路板空间。该器件采用SC-70/SOT-323封装，适用于低功率表面贴装应用。
品牌名称: LRC(乐山无线电)
商品型号: LMUN5211T1G
商品编号: C12786
商品封装: SC-70(SOT-323)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.028克(g)

商品参数

商品概述

这款全新的数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了它们。使用BRT可以降低系统成本并节省电路板空间。该器件采用SC - 70/SOT - 323封装，适用于低功率表面贴装应用。

商品特性

简化电路设计
节省电路板空间
减少元件数量
SC - 70/SOT - 323封装可采用波峰焊或回流焊。改进的鸥翼形引脚在焊接过程中可吸收热应力，消除芯片受损的可能性。
提供无铅封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	数字晶体管
	数量	1个NPN-预偏置
	集射极击穿电压(Vceo)	50V
	集电极电流(Ic)	100mA
	耗散功率(Pd)	310mW
	晶体管类型	NPN

	属性	参数值
	直流电流增益(hFE)	35
	输出电压(VO(on))	-
	输入电阻	13kΩ
	电阻比率	1
	工作温度	-55℃~+150℃
	集电极截止电流(Icbo)	100nA