HMC521A-SX
GaAs MMIC I/Q混频器8.5 - 13.5 GHz
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- 描述
- HMC521A-SX 是一种无源、紧凑的 I/Q 单片微波集成电路 (MMIC) 混频器,可用作接收器的镜像抑制混频器或发射器的单边带上变频器。其 RF 和 LO 范围为 8.5 GHz 至 13.5 GHz,IF 带宽为直流至 3.5 GHz。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC521A-SX
- 商品编号
- C1236887
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF混频器 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 噪声系数 | 14dB |
商品概述
HMC521ACHIPS是一款无源、紧凑的同相/正交(I/Q)单片微波集成电路(MMIC)混频器,可作为接收机的镜像抑制混频器,也可作为发射机的单边带上变频器。其射频(RF)和本地振荡器(LO)频率范围为8.5 GHz至13.5 GHz,中频(IFx)带宽为直流至3.5 GHz,非常适合需要出色射频性能且设计简单、元件较少的应用。在设计中,单个HMC521ACHIPS可替代多个窄带混频器。HMC521ACHIPS固有的I/Q架构具有出色的镜像抑制能力,无需使用昂贵的滤波器来抑制不需要的边带。该混频器还具备高LO至RF隔离度(>35 dB),可减少LO泄漏的影响,确保信号完整性。作为无源混频器,HMC521ACHIPS无需任何直流电源。与有源混频器相比,该器件的噪声系数更低,可为高性能和高精度应用提供出色的动态范围。HMC521ACHIPS采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,使用混频单元和90°混合器。HMC521ACHIPS的工作温度范围为-40℃至+85℃。
商品特性
- 频率范围:8.5 GHz至13.5 GHz
- 典型转换损耗:7 dB
- 典型镜像抑制:22 dBc
- 典型LO至RF隔离度:38 dB
- 典型输入三阶交调截点(IP3):19 dBm
- 宽IF频率范围:直流至3.5 GHz
- 11引脚裸片(CHIP)
应用领域
- 微波和甚小口径终端(VSAT)无线电
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