MC9S08PB8MTJ
MC9S08PB8MTJ
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- 描述
- 特性:8位S08中央处理器单元(CPU)。 工作温度范围内,在2.7V至5.5V电压下,总线频率高达20MHz。 支持多达30个中断/复位源。 支持多达四级嵌套中断。 片上存储器:全工作电压和温度范围内,闪存高达16KB,随机存取存储器(RAM)高达1KB。 闪存和RAM访问保护。 节能模式:一种低功耗停止模式;降低功耗等待模式;外设时钟使能寄存器可禁用未使用模块的时钟,降低电流;允许在停止3模式下特定外设时钟保持启用。 时钟:内部时钟源(ICS),含由内部或外部参考控制的锁频环(FLL),内部参考精确微调可实现0.2%分辨率,0℃至70℃温度范围偏差1%, -40℃至105℃温度范围偏差1.5%, -40℃至125℃温度范围偏差2%,频率高达20MHz;振荡器(XOSC),环路控制皮尔斯振荡器,晶体或陶瓷谐振器范围为31.25kHz至39.0625kHz或4MHz至20MHz
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MC9S08PB8MTJ
- 商品编号
- C1235931
- 商品封装
- TSSOP-20
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 单片机(MCU/MPU/SOC) | |
| CPU内核 | S08 | |
| CPU最大主频 | 20MHz | |
| CPU位数 | 8 Bit | |
| 程序存储容量 | 8KB | |
| 程序存储器类型 | FLASH | |
| RAM容量 | 1KB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| EEPROM容量 | - | |
| I/O数量 | 18 | |
| ADC(位数) | 12bit | |
| 振荡器类型 | 外置 | |
| 工作电压 | 2.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| EEPROM容量 | - |
| 电压-供电(Vcc/Vdd) | 2.7V ~ 5.5V |
| 外设 | LVD,POR,PWM,WDT |
| I/O数 | 18 |
| 程序存储器类型 | 闪存 |
| 程序存储容量 | 8KB(8K x 8) |
| RAM大小 | 1K x 8 |
| 内核规格 | 8 位 |
| 连接能力 | I?C,LINbus,SPI,UART/USART |
| 封装/外壳 | 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) |
| 供应商器件封装 | 20-TSSOP |
| 速度 | 20MHz |
| 数据转换器 | A/D 12x12b |
| 核心处理器 | S08 |
| 振荡器类型 | 外部 |
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