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Si2308BDS-T1-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.3A
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- 描述
- N沟道,60V,2.3A,156mΩ@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- Si2308BDS-T1-GE3
- 商品编号
- C12298
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 156mΩ@10V,2.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.09W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 190pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.3A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：156 毫欧 @ 1.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：6.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：190pF @ 30V
功率 - 最大值：1.66W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.3A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：156 毫欧 @ 1.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：6.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：190pF @ 30V
功率 - 最大值：1.66W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
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