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KIA5N50HD
5A、500V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：RDS(on)=1.25Ω（典型值），Vgs=10V。 符合RoHS标准。 低导通电阻。 低栅极电荷。 峰值电流与脉冲宽度曲线。应用：适配器。 充电器
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA5N50HD
- 商品编号
- C123784
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.453克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 525pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 64pF |
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