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HY1203S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HY1203S

1个N沟道 耐压:30V 电流:12A

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描述
N沟道 30V 12A ,7.5mΩ导通电阻
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HY1203S
商品编号
C123689
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.194克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))9.5mΩ@4.5V,4A
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)2.312nF
反向传输电容(Crss)150pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)350pF

商品特性

  • 30V/12A
  • 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 7.5 mΩ(典型值)
  • 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 9.0 mΩ(典型值)
  • 雪崩额定
  • 可靠耐用
  • 有无铅器件可选

应用领域

  • DC/DC转换器中的电源管理
  • 开关应用

数据手册PDF