温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@2.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- N沟道MOSFET和P沟道MOSFET采用TUMT6封装。
- 高速开关，低导通电阻。
- 低电压驱动（2.5V驱动）。
- 内置G-S保护二极管。
应用领域
- 开关
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