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HY1904D
1个N沟道 耐压:40V 电流:72A
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- 描述
- N沟道 40V 72A，4.8mΩ导通电阻
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1904D
- 商品编号
- C122488
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.493克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.164nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 202pF |
商品特性
- 40V/72A
- RDS(ON)= 4.8 mΩ(典型值),VGS= 10V
- RDS(ON)= 5.8 mΩ(典型值),VGS= 4.5V
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-逆变器系统的电源管理-N沟道MOSFET