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HY1904D
1个N沟道 耐压:40V 电流:72A
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- 描述
- N沟道 40V 72A，4.8mΩ导通电阻
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1904D
- 商品编号
- C122488
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.493克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V,36A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.164nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 202pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 0.54 Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：正向传输导纳幅值 (|Yfs|) = 8.5 S（典型值）
- 低泄漏电流：漏源泄漏电流 (IDSS) = 100 μA（最大值）（漏源电压 (VDS) = 600 V）
- 增强型：阈值电压 (Vth) = 2.0 至 4.0 V（漏源电压 (VDS) = 10 V，漏极电流 (ID) = 1 mA）
应用领域
- 一般电子应用，如计算机、个人设备、办公设备、测量设备、工业机器人和家用电子电器