BGS12SN6E6327XTSA1
BGS12SN6E6327XTSA1
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- 描述
- RF MOS开关专为WLAN和蓝牙应用而设计。任意2个端口都可作为分集天线的终端,可处理高达30 dBm的功率。这款单电源芯片集成了片上CMOS逻辑,由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。0.1 dB压缩点超过开关的...
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGS12SN6E6327XTSA1
- 商品编号
- C114953
- 商品封装
- DFN-6(0.7x1.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 50MHz~6GHz | |
| 隔离度 | 47dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 0.9dB | |
| 工作电压 | 1.8V~3.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
BGS12SN6射频MOS开关专为WLAN和蓝牙应用而设计。任意两个端口均可作为分集天线的终端,可处理高达30 dBm的功率。 这款单电源芯片集成了片上CMOS逻辑,由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。0.1 dB压缩点超过了开关的最大输入功率电平,可在所有信号电平下实现线性性能。该射频开关在1 GHz频段的插入损耗极低,仅为0.25 dB,在2.5 GHz频段为0.29 dB。
商品特性
- 2条高线性TRx路径,功率处理能力高达30 dBm
- 开关速度快,非常适合WLAN和蓝牙应用
- 所有端口全双向
- 插入损耗低
- 谐波产生少
- 端口间隔离度高
- 覆盖范围为0.05至6 GHz
- ESD耐受性高
- 片上控制逻辑
- 采用超小无铅无卤封装TSNP - 6 - 2(-8)(0.7×1.1 mm²),高度仅为0.375 mm
- 若射频线路上无直流偏置,则无需去耦电容
- 封装符合RoHS标准
应用领域
- WLAN
- 蓝牙
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