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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 800mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 56 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@20mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 300mV@0.1mA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 1kΩ | |
| 电阻比率 | 0.1 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 内置偏置电阻。
- 简化电路设计。
- 减少零件数量和制造工序。
- 高输出电流：800mA。
应用领域
- 大电流开关应用。
- 接口电路和驱动电路应用。