ADUM4221ARIZ

ADuM4221是一款4 A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700 V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，具有优于其他替代方案（如脉冲变压器和栅极驱动器组合）的出色性能特性。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5 V至6.5 V，可与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221的优势在于输入与每个输出之间实现了真正的电流隔离。 ADuM4221内置重叠保护，并允许进行死区时间调整。通过在死区时间引脚（DT）和GND₁引脚之间连接一个电阻，可设置次级侧高端和低端输出之间的死区时间。 如果ADuM4221的内部温度超过热关断（TSD）温度，内部热关断功能会将输出置为低电平。因此，ADuM4221能够在很宽的正或负开关电压范围内，对绝缘栅双极型晶体管（IGBT）/金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）配置的开关特性进行可靠控制。

• 4 A峰值电流（<2 Ω RDSON_x）
• 2.5 V至6.5 V逻辑输入电压
• 4.5 V至35 V输出电源电压
• UVLO VDD1正向阈值：最大2.5 V
• VDDA和VDDB正向阈值的多种UVLO选项 A级：最大4.5 V；B级：最大7.5 V；C级：最大11.6 V
• 精确的时序特性 最大传播延迟44 ns
• 可调死区时间
• CMOS输入逻辑电平
• 高共模瞬态抗扰度：150 kV/μs
• 高结温工作：125℃
• 默认低电平输出
• 安全和法规认证（待审批） 符合UL 1577标准，5700 V rms持续1分钟的UL认证；CSA组件验收通知5A（待审批）；VDE合格证书（待审批）；DIN V VDE V 0884 - 11 V₁₀RM = 849 V峰值
• 爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC

• 开关电源
• 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动
• 工业逆变器
• 氮化镓（GaN）/碳化硅（SiC）兼容