F6102NTGK

F6102是一款采用SiGe BiCMOS工艺设计的8单元接收硅集成电路，适用于Ka波段卫星通信相控阵应用。核心集成电路在每个通道上具备6位相位控制和30dB增益控制，以实现精细的波束控制和辐射单元间的增益补偿。该器件标称电增益为16dB，1dB压缩点输入功率为-30dBm。在工作频率范围内，核心芯片的均方根相位误差为3°，均方根增益误差为0.3dB。典型总功耗为0.32W（每通道40mW）。

• 工作频率范围：17.5GHz至21.5GHz
• 8个辐射通道，6位相位控制
• 典型增益建立时间：20ns
• 典型相位建立时间：20ns
• 典型均方根相位误差：3°
• 典型均方根增益误差：0.3dB
• 增益衰减范围：30dB
• 5位集成电路地址
• 集成带外部偏置的与绝对温度成正比（PTAT）传感器
• 内部温度传感器范围：-40℃至+95℃
• 可编程4状态片上存储器
• 电源电压：+2.1V至+2.5V
• 环境工作温度范围：-40℃至+95℃
• 典型环境工作温度：27℃
• 5mm x 5mm，40引脚QFN封装

• Ka波段卫星通信
• 波束控制测试与测量