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HMC8412LP2FE
0.4 GHz至11 GHz低噪声射频放大器
- 描述
- HMC8412是一款砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），采用伪高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术的低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.4 GHz至11 GHz。该放大器具有内部匹配的50欧姆输入和输出端口，非常适合表面贴装技术（SMT）应用。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC8412LP2FE
- 商品编号
- C1017164
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 400MHz~11GHz | |
| 增益 | 15.5dB | |
| 噪声系数 | 1.4dB；1.8dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 5V | |
| 工作电流 | 60mA | |
| P1dB | 18dBm | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
HMC8412是一款砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），采用赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术的低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.4 GHz至11 GHz。 HMC8412典型增益为15.5 dB，典型噪声系数为1.4 dB，典型输出三阶截点（OIP3）≤ 33 dBm，漏极电源电压为5 V时仅需60 mA电流。典型饱和输出功率（P_SAT）≤ 20.5 dBm，使该低噪声放大器（LNA）可作为许多平衡、同相和正交（I/Q）或镜像抑制混频器的本地振荡器（LO）驱动器。 HMC8412还具备内部匹配至50 Ω的输入和输出端口，非常适合基于表面贴装技术（SMT）的高容量微波无线电应用。 HMC8412采用符合RoHS标准的2 mm×2 mm、6引脚LFCSP封装。
商品特性
- 低噪声系数：典型值1.4 dB
- 单正电源（自偏置）
- 高增益：典型值≤ 15.5 dB
- 高OIP3：典型值≤ 33 dBm
- 符合RoHS标准的2 mm×2 mm、6引脚LFCSP封装
应用领域
- 测试仪器
- 电信
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