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2N7002KDW_R1_00001
2个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 描述
- N沟道,60V,115mA,4Ω@4.5V
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- 2N7002KDW_R1_00001
- 商品编号
- C106992
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品特性
- 当VGS为10 V、IDS为500 mA时，RDS(ON) = 3 Ω
- 当VGS为4.5 V、IDS为200 mA时，RDS(ON) = 4 Ω
- 先进的沟槽工艺技术，采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 关断状态下漏电流极低
- 专为电池供电系统、固态继电器设计
- 具备2KV HBM静电防护
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令，无铅
- 采用符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）
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