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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LN3424DT2AG

1个N沟道 耐压:30V 电流:12A

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描述
特性:VDS = 30 V,RDS(ON) ≤ 10.5 mΩ,VGS@10 V,IDS@6 A;RDS(ON) ≤ 16.5 mΩ,VGS@24.5 V,IDS@5 A。 低RDS(ON)沟槽技术。 低热阻。 快速开关速度。 产品材料为无卤,符合RoHS要求。应用:DC/DC转换。 电源路由
商品型号
LN3424DT2AG
商品编号
C976212
商品封装
DFN2020-6S​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))16.5mΩ@4.5V,5A
耗散功率(Pd)1.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.8V
栅极电荷量(Qg)11nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.136nF@15V
反向传输电容(Crss)119pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 在VGS = 10 V时,RDS(on) = 3.5 mΩ(典型值)
  • 经过100%雪崩测试
  • 可靠且耐用
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 开关应用
  • 逆变器系统电源管理
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF