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LN3424DT2AG

1个N沟道 耐压:30V 电流:12A

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描述
特性：VDS = 30 V，RDS(ON) ≤ 10.5 mΩ，VGS@10 V，IDS@6 A；RDS(ON) ≤ 16.5 mΩ，VGS@24.5 V，IDS@5 A。 低RDS(ON)沟槽技术。 低热阻。 快速开关速度。 产品材料为无卤，符合RoHS要求。应用：DC/DC转换。 电源路由
品牌名称
LRC(乐山无线电)
商品型号
LN3424DT2AG
商品编号
C976212
商品封装
DFN2020-6S​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))16.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.8V
栅极电荷量(Qg)11nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.136nF
反向传输电容(Crss)119pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 30 V
  • 当栅源电压(VGS)为10V、漏极电流(IDS)为6A时,导通电阻RDS(ON) ≤ 10.5mΩ
  • 当栅源电压(VGS)为4.5V、漏极电流(IDS)为5A时,导通电阻RDS(ON) ≤ 16.5mΩ
  • 低导通电阻(RDS(ON))沟槽技术
  • 低热阻
  • 快速开关速度
  • 我们声明该产品的材料无卤且符合RoHS要求。

应用领域

  • 直流-直流转换
  • 功率路由
  • 电机驱动

数据手册PDF

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