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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM62D0LFB

1个N沟道 耐压:60V 电流:350mA

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商品型号
TPM62D0LFB
商品编号
C970034
商品封装
DFN1006-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.029克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)350mA
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@4.5V
耗散功率(Pd)150mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.85V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)42pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-

商品特性

  • 漏源电压(VDS):60V
  • 漏极电流(ID):350mA
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):<5欧姆
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):<4.5欧姆
  • 静电防护:2000V

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF