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ET6304
1个N沟道 耐压:30V 电流:64A
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- 品牌名称
- ETERNAL(宜源科技)
- 商品型号
- ET6304
- 商品编号
- C967060
- 商品封装
- DFN-8(3.1x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@10V,20A | |
| 功率 | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.93nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 260pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 30V、55A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 9mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有环保型器件可供选择
应用领域
- 主板/显卡/Vcore
- 负载点应用
- 开关电源二次侧同步整流