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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ET6300

1个N沟道 耐压:30V 电流:45A

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商品型号
ET6300
商品编号
C967058
商品封装
PDFN3333-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.202克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.9mΩ@10V,10A
功率28W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.9V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)860pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)105pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用了沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • 20V、800mA,VGS = 4.5V 时,RDS(ON) = 300mΩ
  • 改善了 dv/dt 能力
  • 快速开关
  • 静电放电 (ESD) 保护高达 2KV
  • 有环保型产品
  • 适用于 1.5V 栅极驱动应用

应用领域

  • 笔记本电脑
  • 负载开关
  • 电池保护
  • 手持仪器

数据手册PDF