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ES4812实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ES4812

2个N沟道 耐压:30V 电流:6.9A

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描述
特性:超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。出色的导通电阻和最大直流电流能力。无铅和无卤
商品型号
ES4812
商品编号
C967053
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.214克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.9A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)610pF
反向传输电容(Crss)78pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)100pF

商品特性

  • 先进沟槽工艺技术
  • 用于超低导通电阻的高密度单元设计
  • 雪崩电压和电流全特性表征
  • 5V逻辑电平控制
  • 无铅(Pb)且无卤

数据手册PDF