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ET4410实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ET4410

1个N沟道 耐压:30V 电流:10A

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描述
特性:超高密度单元设计,实现极低的导通电阻RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 无铅和无卤
商品型号
ET4410
商品编号
C967049
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.212克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V,10A
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)8nC@4.5V
输入电容(Ciss)710pF@15V
反向传输电容(Crss)145pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品特性

  • 采用超高密度单元沟槽设计,实现低导通电阻RDS(on)
  • 坚固可靠
  • SOT-23-3L封装
  • 无铅(Pb)且无卤

数据手册PDF