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EV3407
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 改进的直通品质因数
- 品牌名称
- ETERNAL(宜源科技)
- 商品型号
- EV3407
- 商品编号
- C967041
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,4.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.35V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 553pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 30V、80A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 5.5mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有绿色环保器件可供选择
应用领域
- 主板/显卡/Vcore-负载点应用-开关电源二次侧同步整流