我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
EN2305实物图
  • EN2305商品缩略图
  • EN2305商品缩略图
  • EN2305商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

EN2305

1个P沟道 耐压:20V 电流:4.9A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
商品型号
EN2305
商品编号
C967035
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.039克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.9A
导通电阻(RDS(on))-
属性参数值
耗散功率(Pd)1.7W
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss@Vds)-
反向传输电容(Crss)-

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • 改善了dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%保证EAS
  • 有环保器件可供选择

应用领域

  • 主板/显卡/核心电压-负载点降压应用-开关电源二次侧同步整流

数据手册PDF