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EN2300

1个N沟道 耐压:20V 电流:5.4A

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描述
特性:超高密度单元沟槽设计,实现低RDS(on)。先进的沟槽工艺技术。SOT-23封装。无铅和无卤
商品型号
EN2300
商品编号
C967032
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5.4A
导通电阻(RDS(on))23mΩ@4.5V,2.8A
耗散功率(Pd)1.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))650mV
栅极电荷量(Qg)5nC@4.5V
输入电容(Ciss)522pF@6V
反向传输电容(Crss)112pF@6V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

SKQ48N10AD采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 低米勒电荷
  • 低输入/输出泄漏电流

应用领域

  • 锂离子二次电池
  • 负载开关
  • DC-DC转换器和离线式UPS

数据手册PDF