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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
- 高速开关
商品特性
- 小封装(SOT723)
- 超低电压驱动(1.2V驱动)
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 开关应用