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CSD17571Q2
1个N沟道 耐压:30V 电流:22A
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- 描述
- CSD17571Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17571Q2
- 商品编号
- C962382
- 商品封装
- WSON-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 468pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品特性
- 100 V P沟道MOSFET高密设计。
- 超低导通电阻。
- 可靠且耐用。
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池系统中的电源管理。