1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
- 10+: ¥0.253765 / 个
- 100+: ¥0.203365 / 个
- 300+: ¥0.178165 / 个
- 3000+: ¥0.159265 / 个 (折合1圆盘477.79元)
- 6000+: ¥0.144145 / 个 (折合1圆盘432.44元)
- 9000+: ¥0.136585 / 个 (折合1圆盘409.76元)
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¥0.144145 / 个 (折合1圆盘432.44元) |
9000+: |
¥0.136585 / 个 (折合1圆盘409.76元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
功率(Pd) | 900mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@4.5V,2.8A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | - |