N沟道 耐压:60V 电流:16A
- 1+: ¥5.72 / 个
- 10+: ¥4.8 / 个
- 30+: ¥4.33 / 个 (折合1管216.5元)
- 100+: ¥3.88 / 个 (折合1管194元)
- 500+: ¥3.6 / 个 (折合1管180元)
- 1000+: ¥3.46 / 个 (折合1管173元)
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¥5.72 / 个 |
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¥4.8 / 个 |
30+: |
¥4.33 / 个 (折合1管216.5元) |
100+: |
¥3.88 / 个 (折合1管194元) |
500+: |
¥3.6 / 个 (折合1管180元) |
1000+: |
¥3.46 / 个 (折合1管173元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 16A | |
功率(Pd) | 45W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@10V,8A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 315pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):315pF @ 25V
功率 - 最大值:45W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB