1个N沟道 耐压:60V 电流:260mA
- 5+: ¥0.34851 / 个
- 50+: ¥0.254527 / 个
- 150+: ¥0.207536 / 个
- 500+: ¥0.172293 / 个
- 3000+: ¥0.144098 / 个 (折合1圆盘432.29元)
- 6000+: ¥0.13 / 个 (折合1圆盘390元)
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¥0.172293 / 个 |
3000+: |
¥0.144098 / 个 (折合1圆盘432.29元) |
6000+: |
¥0.13 / 个 (折合1圆盘390元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 260mA | |
功率(Pd) | 300mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@10V,240mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.6V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 810pC@5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 40pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |