1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
- 10+: ¥2.2736 / 个
- 300+: ¥2.233 / 个
- 2000+: ¥2.1924 / 个 (折合1圆盘5481元)
10+: |
¥2.2736 / 个 |
300+: |
¥2.233 / 个 |
2000+: |
¥2.1924 / 个 (折合1圆盘5481元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
功率(Pd) | 2.5W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 23mΩ@10V,8.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 635pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |