2个P沟道 耐压:20V 电流:4.8A
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2500+: |
¥4.896606 / 个 (折合1圆盘12241.52元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
功率(Pd) | 750mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 33mΩ@4.5V,6.2A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 35nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.7nF@16V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |