1个N沟道 耐压:500V 电流:17A
- 1+: ¥16.25 / 个
- 10+: ¥13.96 / 个
- 30+: ¥12.6 / 个 (折合1管378元)
- 100+: ¥11.23 / 个 (折合1管336.9元)
1+: |
¥16.25 / 个 |
10+: |
¥13.96 / 个 |
30+: |
¥12.6 / 个 (折合1管378元) |
100+: |
¥11.23 / 个 (折合1管336.9元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
连续漏极电流(Id) | 17A | |
功率(Pd) | 190W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 270mΩ@10V,8.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 8.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):119nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2600pF @ 25V
功率 - 最大值:190W
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247-3