1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
- 1+: ¥8.51 / 个
- 10+: ¥7.28 / 个
- 30+: ¥6.6 / 个 (折合1管330元)
- 100+: ¥5.83 / 个 (折合1管291.5元)
- 500+: ¥5.49 / 个 (折合1管274.5元)
- 1000+: ¥5.33 / 个 (折合1管266.5元)
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¥7.28 / 个 |
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¥6.6 / 个 (折合1管330元) |
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¥5.83 / 个 (折合1管291.5元) |
500+: |
¥5.49 / 个 (折合1管274.5元) |
1000+: |
¥5.33 / 个 (折合1管266.5元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
功率(Pd) | 25W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@10V,4A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 50V
功率 - 最大值:25W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220FP