1个N沟道 耐压:500V 电流:3A
- 1+: ¥7.96 / 个
- 10+: ¥6.87 / 个
- 30+: ¥6.27 / 个 (折合1管313.5元)
- 100+: ¥5.59 / 个 (折合1管279.5元)
- 500+: ¥5.28 / 个 (折合1管264元)
- 1000+: ¥5.15 / 个 (折合1管257.5元)
1+: |
¥7.96 / 个 |
10+: |
¥6.87 / 个 |
30+: |
¥6.27 / 个 (折合1管313.5元) |
100+: |
¥5.59 / 个 (折合1管279.5元) |
500+: |
¥5.28 / 个 (折合1管264元) |
1000+: |
¥5.15 / 个 (折合1管257.5元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
功率(Pd) | 45W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.7Ω@10V,1.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@50uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 310pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):310pF @ 25V
功率 - 最大值:45W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB