- 1+: ¥11.4 / 个
- 10+: ¥11.15 / 个
- 50+: ¥10.98 / 个 (折合1管549元)
- 100+: ¥10.82 / 个 (折合1管541元)
1+: |
¥11.4 / 个 |
10+: |
¥11.15 / 个 |
50+: |
¥10.98 / 个 (折合1管549元) |
100+: |
¥10.82 / 个 (折合1管541元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
功率(Pd) | 30W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,3.2A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.4A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 3.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1145pF @ 25V
功率 - 最大值:30W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220FP