1个N沟道 耐压:400V 电流:9A
- 1+: ¥6.71 / 个
- 10+: ¥5.71 / 个
- 50+: ¥5.15 / 个 (折合1管257.5元)
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¥5.71 / 个 |
50+: |
¥5.15 / 个 (折合1管257.5元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 400V | |
连续漏极电流(Id) | 9A | |
功率(Pd) | 30W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@10V,4.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):400V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):930pF @ 25V
功率 - 最大值:30W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220FP